Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problem

Korošak, Dean; Cvikl, Bruno

| | SLO | ENG | Piškotki in zasebnost

Večja pisava | Manjša pisava

Prva stran > Izpis gradiva

Izpis gradiva

Naslov:	Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problem
Avtorji:	ID Korošak, Dean (Avtor) ID Cvikl, Bruno (Avtor)
Datoteke:	http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-8OIN0NUF
Jezik:	Slovenski jezik
Vrsta gradiva:	Delo ni kategorizirano
Tipologija:	1.02 - Pregledni znanstveni članek
Organizacija:	FGPA - Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo
Opis:	V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.
Ključne besede:	vakuumska tehnika, površine, kovine, polprevodniki, tanke plasti, curek ioniziranih skupkov
Založnik:	Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
Leto izida:	1998
Št. strani:	str. 13-16
Številčenje:	18, št. 3
PID:	20.500.12556/DKUM-53330
UDK:	539.2
COBISS.SI-ID:	4173078
ISSN pri članku:	0351-9716
NUK URN:	URN:SI:UM:DK:YPTCRDQO
Datum objave v DKUM:	10.07.2015
Število ogledov:	1859
Število prenosov:	42
Metapodatki:
Področja:	Ostalo
:	KOROŠAK, Dean in CVIKL, Bruno, 1998, Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problem. Vakuumist [na spletu]. 1998. Vol. 18, no. 3, p. 13–16. [Dostopano 9 april 2025]. Pridobljeno s: http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-8OIN0NUF Kopiraj citat

Skupna ocena:	0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 (0 glasov)
Vaša ocena:	Ocenjevanje je dovoljeno samo prijavljenim uporabnikom.
Objavi na:

Podobna dela iz repozitorija:

Podobna dela iz ostalih repozitorijev:

Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:	Vakuumist
Skrajšan naslov:	Vakuumist
Založnik:	Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
ISSN:	0351-9716
COBISS.SI-ID:	16059650

Sekundarni jezik

Jezik:	Angleški jezik
Naslov:	Schottky barrier - modern views on an old problem (Part II)
Opis:	In the second part of the paper the transport mechanisms of the metal-semiconductor contact are discussed. An overview of the basic transport mechanism contributing to the current density through the ideal Schottky structure is given. An existance of possible additional charge transport mechanism due to the presence of the disordered interfacial control layer in the ICB deposited Schottky heterostrutures is further discussed. The influence of such a transport mechanism on the current-voltage characteristic is described.
Ključne besede:	vacuum techniques, surfaces, metals, semiconductors, thin layers, CIS

Komentarji

Dodaj komentar

Za komentiranje se morate prijaviti.

Komentarji (0)

0 - 0 / 0

Ni komentarjev!

Nazaj