Vaš brskalnik ne omogoča JavaScript!
JavaScript je nujen za pravilno delovanje teh spletnih strani. Omogočite JavaScript ali uporabite sodobnejši brskalnik.
|
|
SLO
|
ENG
|
Piškotki in zasebnost
DKUM
EPF - Ekonomsko-poslovna fakulteta
FE - Fakulteta za energetiko
FERI - Fakulteta za elektrotehniko, računalništvo in informatiko
FF - Filozofska fakulteta
FGPA - Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo
FKBV - Fakulteta za kmetijstvo in biosistemske vede
FKKT - Fakulteta za kemijo in kemijsko tehnologijo
FL - Fakulteta za logistiko
FNM - Fakulteta za naravoslovje in matematiko
FOV - Fakulteta za organizacijske vede
FS - Fakulteta za strojništvo
FT - Fakulteta za turizem
FVV - Fakulteta za varnostne vede
FZV - Fakulteta za zdravstvene vede
MF - Medicinska fakulteta
PEF - Pedagoška fakulteta
PF - Pravna fakulteta
UKM - Univerzitetna knjižnica Maribor
UM - Univerza v Mariboru
UZUM - Univerzitetna založba Univerze v Mariboru
COBISS
Ekonomsko poslovna fakulteta
Fakulteta za kmetijstvo in biosistemske vede
Fakulteta za logistiko
Fakulteta za organizacijske vede
Fakulteta za varnostne vede
Fakulteta za zdravstvene vede
Knjižnica tehniških fakultet
Medicinska fakulteta
Miklošičeva knjižnica - FPNM
Pravna fakulteta
Univerzitetna knjižnica Maribor
Večja pisava
|
Manjša pisava
Uvodnik
Iskanje
Brskanje
Oddaja dela
Statistika
Prijava
Prva stran
>
Izpis gradiva
Izpis gradiva
Naslov:
Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problem
Avtorji:
ID
Korošak, Dean
(Avtor)
ID
Cvikl, Bruno
(Avtor)
Datoteke:
http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-I5FZNJ1M
Jezik:
Slovenski jezik
Vrsta gradiva:
Delo ni kategorizirano
Tipologija:
1.02 - Pregledni znanstveni članek
Organizacija:
FGPA - Fakulteta za gradbeništvo, prometno inženirstvo in arhitekturo
Opis:
The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is given.
Ključne besede:
površine
,
kovine
,
polprevodniki
,
tanke plasti
Založnik:
Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
Leto izida:
1998
Št. strani:
str. 17-20
Številčenje:
let. 18, št. 2
PID:
20.500.12556/DKUM-53334
UDK:
539.2
COBISS.SI-ID:
13500967
ISSN pri članku:
0351-9716
NUK URN:
URN:SI:UM:DK:8ATDDOR8
Datum objave v DKUM:
10.07.2015
Število ogledov:
1318
Število prenosov:
50
Metapodatki:
Področja:
Ostalo
Citiraj gradivo
Navadno besedilo
BibTeX
EndNote XML
EndNote/Refer
RIS
ABNT
ACM Ref
AMA
APA
Chicago 17th Author-Date
Harvard
IEEE
ISO 690
MLA
Vancouver
:
Kopiraj citat
Skupna ocena:
(0 glasov)
Vaša ocena:
Ocenjevanje je dovoljeno samo
prijavljenim
uporabnikom.
Objavi na:
Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.
Gradivo je del revije
Naslov:
Vakuumist
Skrajšan naslov:
Vakuumist
Založnik:
Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije
ISSN:
0351-9716
COBISS.SI-ID:
16059650
Sekundarni jezik
Jezik:
Angleški jezik
Naslov:
Schottky barrier - modern views on an old problem (Part I)
Opis:
V prispevku je podan opis stika med kovino in polprevodnikom v okviru splošnega modela stika z vmesno kontrolno plastjo. Posebej so poudarjene lastnosti stika, narejenega po metodi CIS, kjer pride do nastanka neurejene kontrolne plasti, karakterizirane s kovinskimi atomi, vgrajenimi v kristalno mrežo polprevodnika in kontinuumom lokaliziranih elektronskih stanj, induciranih z neredom v kontrolni plasti. Podan je izraz za variacijo višine Schottkyjeve bariere v CIS-kontaktih.
Komentarji
Dodaj komentar
Za komentiranje se morate
prijaviti
.
Komentarji (0)
0 - 0 / 0
Ni komentarjev!
Nazaj
