SLO | ENG

Večja pisava | Manjša pisava

Iskanje po katalogu digitalne knjižnice Pomoč

Iskalni niz: išči po
išči po
išči po
išči po
* po starem in bolonjskem študiju

Opcije:
  Ponastavi


81 - 90 / 400
Na začetekNa prejšnjo stran567891011121314Na naslednjo stranNa konec
81.
82.
Vpliv zasteklitve na energetsko učinkovitost montažnih lesenih stavb
Miroslav Premrov, Vesna Žegarac Leskovar, 2011, izvirni znanstveni članek

Opis: Prispevek prikazuje numerično parametrično analizo vpliva povečanega deleža zasteklitev na energetsko učinkovitost montažnih lesenih enodružinskih hiš z osnovnim ciljem prikaza vpliva zasteklitve na južni strani, tako na novih velikopanelnih stenskih sistemih z različno toplotno prehodnostjo kakor tudi na starih malopanelnih sistemih, pri katerih predstavlja ustrezna izbira velikosti zasteklitve enega od mogočih načinov učinkovite energijske sanacije.Pri tem so parametrično na primeru dvoetažne stanovanjske hiše analizirani vplivi povečanega deleža steklenih površin ob upoštevanju klimatskih pogojev za Ljubljano. Kot rezultat študije je podana funkcijska odvisnost letnih energijskih potreb za ogrevanje in ohlajevanje v odvisnosti od deleža steklenih površin južne fasade objekta ob predpostavki, da se vplivi aktivnih sistemov ne spreminjajo. Rezultati so po eni strani potrdili nekatera že poznana dejstva izvedenih parametričnih analiz različnih avtorjev, po drugi strani pa dodatno privedli do nekaterih povsem novih ugotovitev, predvsem glede optimalnih vrednosti deleža zasteklitve na južni fasadi v odvisnosti od stopnje toplotne prehodnosti zunanjih lesenih stenskih elementov ob upoštevanju klimatskih pogojev za Ljubljano.
Ključne besede: zasteklitev, energetsko učinkovita gradnja, montažna gradnja, montažne hiše, fasade
Objavljeno: 21.12.2015; Ogledov: 243; Prenosov: 9
URL Polno besedilo (0,00 KB)

83.
Učni načrt
Bojan Bučar, Mojca Knez, Gorazd Lojen, Bojan Lutman, Ladislav Kosec, Niko Torelli, Gabrijela Dolenšek, 2010, slovar, enciklopedija, leksikon, priročnik, atlas, zemljevid

Ključne besede: srednje šole, učni programi
Objavljeno: 21.12.2015; Ogledov: 312; Prenosov: 6
URL Polno besedilo (0,00 KB)

84.
3. razvojna os : kako nadoknaditi izgubljeni čas med 2010 in 2015?
2015, zbornik

Objavljeno: 23.11.2015; Ogledov: 209; Prenosov: 12
.pdf Polno besedilo (5,06 MB)

85.
Filozofija, metodologija in vizija razvoja podeželja
Vilibald Premzl, Mirko Pšunder, 1993, strokovni članek

Opis: V prispevku so prikazani osnovni elementi planiranja s posebnim ozirom na podeželski prostor. Izpostavljena je potreba po izvajanju politike razvoja podeželskega prostora, ki mu je tudi v Sloveniji na vseh ravneh posvečeno premalo pozornosti.
Ključne besede: prostorsko urejanje, oblikovanje krajine, gospodarsko planiranje, naravna dediščina, nega prostora, ekologija, Slovenija
Objavljeno: 10.07.2015; Ogledov: 335; Prenosov: 6
.pdf Polno besedilo (3,56 MB)

86.
Nanašanje tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS
Bruno Cvikl, 1992, izvirni znanstveni članek

Opis: V članku je opisan postopek naparjevanja tankih plasti po metodi curka ioniziranih skupkov, ki rabi za nizkotemperaturno nanašanje in epitakso visokokvalitetnih tankih plasti.
Ključne besede: vakuumska tehnika, CIS, curek ioniziranih skupkov, tanke plasti
Objavljeno: 10.07.2015; Ogledov: 351; Prenosov: 9
URL Polno besedilo (0,00 KB)

87.
88.
O praštevilih
Borut Zalar, 1995, poljudni članek

Ključne besede: matematika, teorija števil, praštevila
Objavljeno: 10.07.2015; Ogledov: 198; Prenosov: 5
URL Polno besedilo (0,00 KB)

89.
Schottkyjeva bariera
Bruno Cvikl, Dean Korošak, 1998, pregledni znanstveni članek

Opis: The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is given.
Ključne besede: površine, kovine, polprevodniki, tanke plasti
Objavljeno: 10.07.2015; Ogledov: 386; Prenosov: 6
URL Polno besedilo (0,00 KB)

90.
Schottkyjeva bariera
Dean Korošak, Bruno Cvikl, 1998, pregledni znanstveni članek

Opis: V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.
Ključne besede: vakuumska tehnika, površine, kovine, polprevodniki, tanke plasti, curek ioniziranih skupkov
Objavljeno: 10.07.2015; Ogledov: 506; Prenosov: 6
URL Polno besedilo (0,00 KB)

Iskanje izvedeno v 0.13 sek.
Na vrh
Logotipi partnerjev Univerza v Mariboru Univerza v Ljubljani Univerza na Primorskem Univerza v Novi Gorici