Iskanje po katalogu digitalne knjižnice

Opis: V diplomskem delu raziskujemo delovanje in odziv elektrokromnih trakov, sestavljenih na principu konfiguracije ''inverznega sendviča''. Zanima nas barvni odziv sestavljenih naprav, njihova stabilnost, potreba po velikosti vložene električne napetosti, reverzibilnost ter življenjska doba le-teh. Elektrokromni trak je sestavljen iz dveh elektrod, kjer je na eni elektrodi nanesena plast kovinskega oksida, na drugi pa plast grafita. Ločuje ju izolator, ki preprečuje kratek stik, povezuje pa ju elektrolit, ki zagotavlja prenos naboja iz ene elektrode na drugo. Celoten trak povezuje nosilec elektrolita iz vpojnega papirja, ter prosojna plastična skrčka, ki omogoča optimalno zatesnjenost traku. Preučujemo različne vrste kovinskih oksidov, ki jih bomo na jeklo nanašali na enostaven način s pomočjo tankoplastnih tehnik ''Doctor Blade'' in metode ''zniževanja gladine'' (angl. Inverse dipping). Prav tako raziskujemo različne vrste elektrolitov, ki bodo uporabljeni v sestavi elektrokromnega traku in bodo omogočali dovolj hiter odziv, hkrati pa ne bodo imeli kvarnega vpliva na stabilnost in delovanje naprave. S pomočjo različnih karakterizacijskih metod, kot so kronoamperometrija, UV-Vis reflektančna spektroskopija, elektrokemična impedančna spektroskopija, SEM (angl. Scanning electron microscope) in EDS (angl. Energy-dispersive X-ray spectroscopy) smo posneli različne tipe meritev in na osnovi teh določili učinkovitost sestavljenih elektrokromnih trakov.
Ključne besede: elektrokromizem, elektrokromni trak, kovinski oksidi, tanke plasti, interkalacija
Objavljeno v DKUM: 08.10.2020; Ogledov: 973; Prenosov: 74
Celotno besedilo (3,05 MB)

Opis: The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is given.
Ključne besede: površine, kovine, polprevodniki, tanke plasti
Objavljeno v DKUM: 10.07.2015; Ogledov: 1318; Prenosov: 50
Povezava na celotno besedilo

Opis: V delu opisujemo študij kristalizacije in razvoja mikrostrukture tankih plasti na osnovi trdne raztopine 0,85 K0.5Na0.5NbO3 – 0,15 SrTiO3 (KNN-STO), pripravljenih s sintezo iz raztopin, na platiniziranih silicijevih podlagah. Raztopino KNN-STO smo pripravili iz kalijevega acetata KO2C2H3, natrijevega acetata NaO2C2H3, niobijevega etoksida Nb(OEt)5, titanovega propoksida Ti(OC2H4CH3)4 in stroncijevega nitrata Sr(NO3)2. Kot topilo smo uporabili 2-metoksietanol CH3OCH2CH2OH. Plasti smo segrevali po dvostopenjskem in štiristopenjskem postopku segrevanja, kar pomeni, da smo jih po stopnji pirolize segrevali do končne temperature po vsakem drugem, oziroma po vsakem nanosu raztopine s koncentracijo cM = 0,4 M na podlago. Plasti, pripravljene iz raztopin različnih koncentracij (0,1 M, 0,2 M, 0,4 M), smo segrevali do končne temperature po vsakem nanosu raztopine na podlago. Rentgenski difraktogrami plasti kažejo, da vse plasti, ki smo jih segrevali po opisanih postopkih do temperatur med 500 °C in 700 °C, kristalizirajo v perovskitni fazi s psevdo-kubično osnovno celico brez izrazite kristalografske usmerjenosti. Mikrostruktura plasti je odvisna od pogojev priprave. Plasti, pripravljene iz raztopine KNN-STO s koncentracijo 0,4 M z dvostopenjskim segrevanjem, imajo enakomerno mikrostrukturo z enakoosnimi zrni, velikimi ~20 nm, medtem ko je mikrostruktura plasti, pripravljenih s štiristopenjskim segrevanjem, heterogena z zrni velikosti od ~20 nm do ~100 nm. Mikrostruktura plasti, ki smo jih pripravili iz raztopin KNN-STO z različnimi koncentracijami in segrevali po vsakem nanosu, je heterogena, z zrni velikosti od ~50 nm do ~150 nm. Pogoji priprave tankih plasti KNN-STO vplivajo tudi na njihove dielektrične lastnosti. Plasti, pripravljene z dvostopenjskim segrevanjem, imajo večjo vrednost dielektrične konstante kot plasti, pripravljene s štiristopenjskim segrevanjem. Vrednost dielektričnosti se povečuje z naraščajočo temperaturo in časom segrevanja. Plast KNN-STO, pripravljena z dvostopenjskim segrevanjem pri temperaturi T=700 °C in času t=15 min ima največjo dielektričnost in nizke dielektrične izgube, in sicer 700 in 0,04 pri sobni temperaturi in pri frekvenci 100 kHz. Izmerili smo temperaturno in frekvenčno odvisnost dielektričnosti in dielektričnih izgub omenjenega vzorca in ugotovili, da kaže značilen relaksorski odziv, podobno kot volumenska keramika z enako kemijsko sestavo.
Ključne besede: Tanke plasti, K0.5Na0.5NbO3 – SrTiO3, sinteza iz raztopin, mikrostruktura, kristalizacija, dielektričnost.
Objavljeno v DKUM: 23.07.2012; Ogledov: 2416; Prenosov: 197
Celotno besedilo (3,29 MB)