2.
Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problemDean Korošak,
Bruno Cvikl, 1998, pregledni znanstveni članek
Opis: V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.
Ključne besede: vakuumska tehnika, površine, kovine, polprevodniki, tanke plasti, curek ioniziranih skupkov
Objavljeno v DKUM: 10.07.2015; Ogledov: 1859; Prenosov: 41
Povezava na celotno besedilo
