1. Measurement and modelling of power SiC MOSFET transistors : master's thesisDarjan Molnar, 2021, magistrsko delo Opis: The increasing demand for smaller, faster, and more efficient switch mode power supplies (SMPS) and energy converters has led to the development of new power MOSFET technologies, such as SiC (silicon carbide) power MOSFET transistors. Switching parameters, output voltages and currents and power consumption need to be measured accurately to assess different types of power electronics components more efficiently in today’s rapid implementation of new energy transfer and modulation technology. The need for improving switching circuits in power electronics and trying to use simple simulation circuits for designing PCBs to measure output values of said power electronics transistors is the basis of this thesis. Even though manufacturers of power electronics transistors provide data on drain-source voltages and currents, these are mostly measured for specific conditions regarding pulse duration, gate-source voltage, case temperature of the transistor etc., and as such do not provide information as to where the limits of the drain source voltages and currents for different measurement parameter values are. The goal of the thesis is to find a way to measure the limits of drain-source voltages and currents of power electronics transistors (in this case a SiC MOSFET transistor), and to see if a simple SPICE-model could be built for other power electronic transistors as well, based on the results of this thesis.
Ključne besede: SiC, MOSFET, transistor, simulation, PCB
Objavljeno v DKUM: 02.06.2021; Ogledov: 931; Prenosov: 57
 Celotno besedilo (4,35 MB) |
2. IZGUBE TRANZISTORJEV PRETVORNIKA ZA VODENJE BLDC MOTORJABlaž Kobovc, 2018, delo diplomskega projekta/projektno delo Opis: V projektni nalogi smo določili izgube tranzistorjev trifaznega pretvornika za vodenje BLDC s simulacijami v simulacijskem okolju LTSpice in zgradili matematični model za njihov analitični izračun. Sestavili smo trifazni pretvornik, vezje za mrtev čas, tvorili smo PŠM in dodali bootstrap vezje za proženje zgornjih tranzistorjev. Preverili smo prevodne in stikalne izgube za 80W motor z 48V napajanjem in še za enak motor z 12V napajanjem. Zanimalo nas je, kako se odražajo izgube s spreminjanjem frekvence in mrtvega časa in kateri način ima manjše izgube. Na koncu smo preverili sestavo izgub v obeh načinih in primerjali odstopanja matematičnega modela in simulacije.
Ključne besede: prevodne izgube, stikalne izgube, MOSFET, BLDC, DC-AC pretvornik, LTSpice, simulacije
Objavljeno v DKUM: 05.02.2019; Ogledov: 1215; Prenosov: 135
Celotno besedilo (2,06 MB) |
3. Dinamično elektronsko bremeMatej Otič, 2017, delo diplomskega projekta/projektno delo Opis: V projektu bo predstavljena teoretična ter praktična izdelava vezja za dinamično elektronsko breme. Predstavljeni bodo osnovni gradniki takšnih vezij, njihovi principi delovanja ter njihova uporaba. Poleg teoretične izdelave bodo opisani tudi vidiki in težave s katerimi se srečujemo v praksi.
Ključne besede: elektronsko breme, stabilnost, operacijski ojačevalnik, MOSFET
Objavljeno v DKUM: 30.01.2018; Ogledov: 1986; Prenosov: 206
Celotno besedilo (1,76 MB) |
4. Simulacija in praktična izvedba polprevodniškega stikala za testiranje pretvornikov močnostne elektronikeDanijel Pongrac, 2016, diplomsko delo Opis: Polprevodniško stikalo je primerno za vklop in izklop enosmernih tokokrogov in lahko nadomesti klasičen mehanski rele ali klasičen mehanski kontakt. V okviru diplomske naloge bomo zasnovali testno vezje, preverili delovanje v simulacijskem programu LTSpice, kjer bi preštudirali vklop in izklop ohmsko-induktivnega bremena moči do 5 kW. Za te potrebe bomo zgradili eksperimentalni funkcionalni laboratorijski prototip, ki bo primeren za eksperimentalno verifikacijo. Polprevodniško stikalo bo zgrajeno z MOSFET-i in ustreznimi prožilnimi vezji, ki bodo omogočali vklope tranzistorjev. Celotni sklop bo omogočal testiranje stopničnih obremenitev DC-DC pretvornikov.
Ključne besede: polprevodniško stikalo, MOSFET, močnostna elektronika
Objavljeno v DKUM: 20.10.2016; Ogledov: 1326; Prenosov: 201
Celotno besedilo (4,24 MB) |
5. MOSFET KOT SENZOR TOKA V REGULIRANIH ELEKTRO-MOTORNIH POGONIHRok Pajer, 2014, magistrsko delo Opis: V reguliranih elektro-motornih pogonih se pojavlja potreba po meritvah tokov. V praksi se najpogosteje uporabljajo so-upori in Hallovi senzorji. Obravnavani senzor temelji na
meritvi padca napetosti med sponkama S in D MOSFET-a. Pred drugimi tipi senzorjev ima številne prednosti, najpomembnejša je, da v pretvorniku ne povzroča dodatnih
izgub. Poleg tega v vezju niso potrebni dodatni elementi, ki bi povzročali parazitne induktivnosti ali povečali kompleksnost proizvodnje. V magistrskem delu je predlagano
merilno vezje senzorja. Preizkušeno je v simulacijskem programu na osnovi orodja SPICE in praktično izdelano. Opisan je postopek meritve termične upornosti med spojem tranzistorja in hladilnikom ter meritve stikalnih izgub. Merilnik je bil preizkušen in primerjan z rezultati, dobljenimi s Hallovimi senzorji. Predlagani so razni načini
kompenzacije za izboljšanje točnosti merilnika. Program za vodenje pretvornika in meritve teče na 32-bitnem ARM procesorju serije STM32F4.
Ključne besede: MOSFET, trifazni razsmernik, napetost sponk, brezizgubno merjenje toka, STM32F4
Objavljeno v DKUM: 17.11.2014; Ogledov: 1958; Prenosov: 306
Celotno besedilo (8,46 MB) |
6. INTELIGENTNI TRANZISTORSKI PRETVORNIKIJože Korelič, 2010, magistrsko delo Opis: V delu so opisani tipi tranzistorskih pretvornikov za različne vrste elektromotorjev. Opisani so potrebni sklopi za izvedbo zanesljivega in varnega delovanja pretvornika. Podani so izračuni in navodila za izvedbo nizkoinduktivne DC zbiralke, potrebni ukrepi za zadostitev pogojem elektromagnetne kompatibilnosti, potrebne zaščitne funkcije in parametri za izvedbo optimalne prožilne stopnje za MOSFET ali IGBT tranzistorje. Vgrajeni senzorji električnih in neelektričnih veličin, mikrokontroler z ustrezno programsko opremo in komunikacija z nadrejenim sistemom predstavlja vgrajeno inteligenco, ki omogoča varno in zanesljivo delovanje pretvornikov. Podan je primer pretvornika za delovanje v eksplozijsko nevarnem okolju. Pretvornik je bil obsežno testiran v laboratorijskem okolju in na objektu v jami Premogovnika Velenje.
Ključne besede: MOSFET tranzistorji, IGBT tranzistorji, tranzistorski pretvorniki, prožilna vezja, elektromagnetna skladnost, elektromotorski pogoni, regulacija hitrosti
Objavljeno v DKUM: 05.01.2011; Ogledov: 2686; Prenosov: 302
Celotno besedilo (2,76 MB) |
7. |
